Η 台积电制造有限公司. 正式呈现在 2022台积电技术研讨会, 其制造技术 N2（类别 2 nm）
O 它的第一个节点 TSMC 在类别中 2纳米 将使用场效应晶体管（GAAFETs - 环栅场效应晶体管) 并且新的制造工艺将提供性能和功率优势，但在晶体管密度方面，它在 2025 年发布时几乎不会给人留下深刻印象。
作为一个全新的工艺技术平台， 台积电N2 带来了两项关键创新：纳米箔晶体管（这就是 T 所说的SMC 作为 GAAFET）和 背面电源轨 达到提高节点每瓦性能特性的相同目的。
纳米箔晶体管 GAA 在所有四个侧面都有被栅极包围的通道，从而减少了泄漏。 此外，他们的渠道可以拓宽以增加流量并提高效率，也可以缩小渠道以最大限度地降低功耗和成本。
为了以足够的功率为这些纳米箔晶体管供电并且现在浪费它们中的任何一个， 台积电N2 采用后置供电，被认为是对抗后端电阻的最佳方案之一（BEOL).
的确，在能效和功耗方面，台积电基于纳米的N2节点可以实现 产量提高 10% 至 15% 具有相同的功能和复杂性，并且 2能耗降低 5% 至 30% 在相同的频率和数量的晶体管相比 台积电 N3E. 但是，新节点相比 N1,1E 仅增加了大约 3 倍的芯片密度。
一般来说， 台积电N3 提供全节点效率提高和功耗降低。 但就密度而言，新技术很难给人留下深刻印象。 例如，节点 N3E 台积电的报价 1,3倍 与N5相比，芯片密度增加，这是一个显着的提升。
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