Η Samsung 正式宣布青少年量产启动 250GB 固态硬盘 其中有第 6 代内存 3 位 V-NAND 256Gb.
Χάρινστις 100层 NAND闪存 （业界第一次），新的SSD提供450μs的写入速度和45μs的读取速度，从而导致 回报 反对 10％更高 与上一代相比。 同时， 能耗降低15%.
第六代V-NAND在上一代推出后仅6个月就准备就绪，这就是为什么量产周期缩短了13个月的原因。 这种速度使该公司能够以具有竞争力的价格提供更好的技术，当然还可以在 SSD 领域进行动态扩展。
据三星称，它很快就能推出下一个 300 层 V-NAND 内存，只需将三个当前的内存相互堆叠即可，而不会影响系统性能和稳定性。
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