全新通用闪存由三星第 5 代 V-NAND 提供支持，提供比 20GB 内部存储多 64 倍的存储空间，比标准 microSD 卡快 10 倍，适用于数据密集型应用。
Η 三星电子有限公司是先进存储技术的全球领导者，今天宣布量产业界首款用于下一代移动应用的 TB 级集成通用闪存 (eUFS) 2.1。 在发布第一个 UFS 解决方案 128GB eUFS 仅仅四年后，三星就超过了期待已久的智能手机存储容量 XNUMX TB 的限制。 智能手机爱好者很快就能享受到与高级笔记本电脑相当的存储容量，而无需为他们的手机添加额外的存储卡。
三星电子内存销售与营销执行副总裁 Cheol Choi 表示：“预计 1TB eUFS 将在类似于笔记本电脑的下一代移动设备上创造升级的用户体验方面发挥重要作用。 “三星还致力于确保最可靠的供应链和足够的产量，以支持即将推出的旗舰智能手机的发布，以加速全球手机市场的增长。”
11.5TB eUFS 解决方案保持相同的封装尺寸（13.0mm x 1mm），容量是之前 512GB 版本的两倍，结合了 16 层更先进的 512GB V-NAND 闪存和新开发的专有内存控制器。 智能手机用户将能够以 260K 超高清分辨率 (4X3840) 存储 2160 个十分钟视频，而大多数现代智能手机显示的标准 64GB eUFS 可以存储 13 个相同大小的视频。
1TB eUFS 速度极快，允许用户在更短的时间内传输大型多媒体内容。 在高达每秒 1.000 兆字节 (MB / s) 的速度下，新的 eUFS 的顺序读取速度大约是标准 2.5 英寸 SATA SSD 的两倍。 这意味着只需 5 秒即可将 10GB 全高清视频下载到 NVMe SSD，这比标准 microSD 卡快 38 倍。 此外，随机读取速度相比512GB版本提升了58.000%，达到500IOPS。 随机注册比高性能 microSD 卡（100 IOPS）快 50.000 倍，达到 960 IOPS。 随机速度允许以每秒 XNUMX 帧的速度连续高速拍摄，让智能手机用户有机会充分利用现代设备和下一代旗舰产品的多摄像头功能。
2019 年上半年，三星计划在其韩国工厂扩大下一代 V-NAND 512GB 的生产，以满足全球移动设备制造商对期待已久的 1TB eUFS 的高需求。
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