Η Samsung 正式宣布青少年量产启动 250GB 固态硬盘 其中有第 6 代内存 3 位 V-NAND 256Gb.
Χάρινστις 100层 NAND闪存 (业界第一次),新的SSD提供450μs的写入速度和45μs的读取速度,从而导致 回报 反对 10%更高 与上一代相比。 同时, 能耗降低15%.
第六代V-NAND在上一代推出后仅6个月就准备就绪,这就是为什么量产周期缩短了13个月的原因。 这种速度使该公司能够以具有竞争力的价格提供更好的技术,当然还可以在 SSD 领域进行动态扩展。
据三星称,它很快就能推出下一个 300 层 V-NAND 内存,只需将三个当前的内存相互堆叠即可,而不会影响系统性能和稳定性。
[the_ad_group id =“ 966”]