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处理器

英特尔:将转向新的 Gate-All-Around (GAA) 晶体管技术

在 10nm 生产困难之后,英特尔希望找到其他方法来保持处理器市场的竞争力。


Σ2020 年超大规模集成电路会议 ο 首席技术官 Intel 的 Mike Mayberry 提到了“计算的未来”,这是预计未来几年公司会关注的一个主要问题。

我们实际上是在谈论英特尔从其经典设计的转变 晶体管(FinFET),我们正在处理这些的三维对齐,在一个全新的,从而创造革命性的新产品。

会议结束时的问题之一是关于技术的未来以及 梅伯里 他说,他预计纳米线型晶体管将在五年内投入生产,但这无法提供具体的发布日期。

与三星等该领域的其他主要公司一起,英特尔将继续采用革命性的新制造方法。 但在此之前,他确认在 2021 年我们将看到他们的参赛作品 10nm + 以及一个新节点,即 7nm 出现在 产品表 并希望在今年晚些时候发布。

与其他晶体管公司一样,将占据英特尔的是设计 全方位门 (GAA) 其中包括“几乎”浮动晶体管鳍,其主要正极是小尺寸。

这一点,以及其他积极因素,例如它可以提供的更大的扩展性 鳍式场效应晶体管 将使 GAA 晶体管成为英特尔的下一个重要步骤,其他公司将在不久的将来依赖它。


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