Η 台湾经济日报 声称 台积电 最终处置取得重大内部发现 光刻技术 2 nm.
Σ根据该出版物，这一里程碑使台积电能够 看好2年早期生产“风险生产”2023纳米的实施.
仍然令人印象深刻的报道是 台积电将放弃 FinFet 技术用于新型多桥沟道场效应 (MBCFET) 晶体管 基于 GAA (Gate-All-Around) 技术。 这个重要的发现来了 在台积电成立室内团队一年后，其目标是为 2 纳米光刻技术的发展铺平道路。
MBCFET 技术通过采用纳米线场效应晶体管并将其“扩展”成纳米片来扩展 GAAFET 架构。 主要思想是使场效应晶体管XNUMXD。
这种新型互补金属氧化物半导体晶体管可以改善电路控制并减少电流泄漏。 这种设计理念不仅限于 台积电 - 三星 计划在他们的光刻技术中开发这种设计的变体 3纳米.
照常， 芯片制造规模的进一步缩小需要付出巨大的代价. 特别是5纳米光刻机的开发成本已经达到476亿美元，而三星则表示该技术 3纳米的GAA 将耗资超过 500 亿美元。 当然，光刻机的发展 2纳米, 将超过这些金额......
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